SK hynix 20nm 8Gbit LPDDR3 DRAM

韓国半導体メーカー SK hynix は世界初となる 20nm プロセス製造の LPDDR3 8Gbit DRAM チップを発表。合わせてモバイル端末向けとなる LPDDR3 4GB DRAM も発表し2014年以降に搭載スマートフォンやタブレットが登場する可能性。

SK hynix (SK ハイニックス) は韓国ソウルにて 20nm のクラスのプロセス技術を用いた世界初となる 8Gbit LPDDR3 DRAM を開発したと発表。この製品は、高密度、超高速かつ低消費電力を備え、最高性能モバイルソリューションになるとしています。

8Gbit モデルで構成で作られた 4GB モデルは既存品に比べ非常に薄く、モバイル端末向けに適しており、今まで 4GB 容量では設定できなかった1つのパッケージに収めることが可能。これにより、スマートフォンやタブレットでの超薄型の構成が可能としています。

SK hynix の製品は、データ伝送速度で既存の LPDDR3 1600Mbps を凌駕し、世界最速モバイル DRAM となる 2133Mbps で動作。32ビットの I/O で、シングルチャネル時は、最大毎秒 8.5GB、デュアルチャンネルの場合、17GB のデータ処理を行います。

また、超低電圧である 1.2V を実現し、LPDDR2 に比べ動作速度は2倍、待機電力消費も LPDDR2 4GB に比べ10％以上減少、モバイル機器が必要とする低消費電力と高性能の特性をすべて満足させるとしています。

製品は既にサンプル出荷が開始され、2013年末の量産を目指すとしています。SK hynix では 2GB 以上の LPDDR3 メモリは、2013年後半から高性能スマートフォンを中心に本格化すると予想しており。急速に進化するモバイル機器に最適な製品を提供することで高性能の製品での市場をリードする計画。

2013年上旬頃から中国メーカー ZTE 等で RAM 3GB を搭載するスマートフォンが出されるとしていましたが、発表はされたものの販売はされていません。そこまでメモリーを搭載する必要はあるのかと思いますが、パソコン同様に技術の進歩に合わせてスペックも上がっていくのは仕方ないかと。

RAM 4GB スマートフォン・・・色々と気になってしまいますね！（＞＜

※ 当初情報を 8GB RAM と表記していましたが誤りで 8Gbit が正しい情報となります。

​​世界初の高容量 8GB LPDDR3 開発 – SK hynix
http://www.skhynix.com/