Qualcomm and Samsung SoC Snapdragon 835

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Qualcomm、韓国サムスンと 10nm FinFET プロセス技術で協力し、モバイル端末向けとなる次世代チップセット「Sanpdragon 835」を開発。2017年上半期以降にハイスペックなフラグシップスマートフォンなど搭載され登場。（情報更新）

■ 仕様

  • 型番: MSM8998
  • プロセス: 10nm FinFET
  • CPU: Qualcomm 64bit Kryo 280 x8 2.45GHz
  • GPU: Adreno 540
  • DPS: Hexagon 682 DPS
  • RAM: LPDDR4x 1866MHz 対応
  • Strage: UFS 2.1 Gear3 2L SD 3.0 (UHS-I) 対応
  • 解像度: 3840×2160 4K UHD サポート
  • カメラ: 3200万画素（シングル） 1600万画素（デュアル） 手ブレ補正対応
  • ビデオ: 4K@30fps H.264(AVC) H.265(HEVC) VP9 対応
  • モデム: X16 LTE Cat.16 down Cat.13 up (4×20 MHz carrier aggregation)
  • ネットワーク: FDD-LTE, TDD-LTE, W-CDMA, CDMA2000, TD-SCDMA, GSM
  • SIM: LTE Dual-SIM 対応
  • 通信: Wi-Fi 802.11 a/b/g/n/ac/ad, Bluetoth 5.0
  • その他: VoLTE、CA、急速充電 (Quick Charge 4.0) 対応

半導体大手メーカー Qualcomm (クアルコム) は、Samsung (サムスン) が開発した 10nm FinFET プロセス技術を採用したモバイル端末向けチップセット（プロセッサ）「Snapdragon 835」を発表。詳細な仕様はまだ公開されていませんが、14nm FinFET プロセスを採用したチップセットと比べ27パーセントのパフォーマンス向上や、40パーセントの消費電力削減を実現。

サムスンは同社の 10nm FinFET 技術が Snapdragon 835 に採用されたことを喜ぶとともに、今後 Qualcomm と密接な関係を維持していくとしています。開発中の Snapdragon 835 は 820/821 の後継上位モデルとして、2017年上半期以降にハイスペックなフラグシップスマートフォンなどに搭載されて登場する予定です。

■ 追加情報 2017年1月4日
2016年11月に発表された「Snapdragon 835」の詳細が CES 2017 に合わせて2017年1月4日に正式公開。「Snapdragon 820/821」と比べ、チップサイズが35パーセント小型化、電力効率は25パーセント向上。特徴として VR / AR コンテンツに最適化した高画質コンテンツのサポートや、Windows (Win32) アプリに対応。モデム X16 を搭載し通信は下り最大 1Gbps の LTE Cat.16 上り最大 150Mbps の LTE Cat.13 や CA 4x20MHz に対応します。Qualcomm の急速充電技術 Quick Charge 4.0 にも対応します。

Snapdragon 835 – Qualcomm
https://www.qualcomm.com/products/snapdragon/processors/835

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